Instytut Wysokich Ciśnień PAN  

Instytut Wysokich Ciśnień PAN (IWC PAN) powstał w 1972 r. w wyniku wydzielenia z Instytutu Fizyki PAN samodzielnego Laboratorium kierowanego przez prof. Sylwestra Porowskiego. Fizyka półprzewodników jest dominującym polem badań, które obecnie koncentrują się na azotkach III-V.

Pierwsze na świecie kryształy GaN otrzymano pod wysokim ciśnieniem właśnie w IWC PAN. Był to impuls do stworzenia nowoczesnego Centrum Fizyki GaN, w którym badane są: wzrost kryształów GaN, epitaksjalne struktury kwantowe oraz przyrządy optoelektroniczne i elektroniczne. Ponadto w Instytucie rozwijane są nanotechnologie oparte na syntezie solwotermalnej i ekstremalnych odkształceniach plastycznych. Prowadzone są również badania w zakresie fizyki materii miękkiej i szkła. Do najnowszego obszaru badań należy promieniowanie terahercowe. Badania te realizowane są w Międzynarodowej Agendzie Badawczej (MAB)-CENTERA.

Ponad 120 badaczy prowadzi w IWC PAN swoje fascynujące badania wykorzystując wysokie ciśnienie jako ważną zmienną fizyczną w 15 laboratoriach. Ich praca stoi na najwyższym poziomie przekładającym się m.in. jedną z najwyższych w Polsce liczbę cytowań. W Instytucie konstruowana jest unikalna aparatura naukowa, która działa wielu laboratoriach na świecie. Instytut jest zainteresowany komercjalizacją swoich wyników naukowych (powstało tu 6 aktywnych spin-offów).

Obszary: fizyka, inżyniera materiałowa

Strona internetowa: unipress.waw.pl

Duża sala z wieloma piopanmi cysternami z podłączanymi rurami
Wysokociśnieniowe autoklawy do krystalizacji azotku galu (GaN) metodą amonotermalną. Laboratorium Krystalizacji IWC PAN. W tych reaktorach rosną najwyższej jakości monokryształy GaN, z których wytwarza się płytki podłożowe GaN o średnicy 2 cale, służące do najbardziej wymagających celów badawczych i technologicznych

Fot. Tomasz Sochacki / IWC PAN

W dużej kuwecie leżą brązowe, owalne płytki; widać dłonie w rękawiczkach, które je podnoszą
Rozładunek monokryształów GaN tuż po wzroście, tzw „as grown”. Zostaną z nich wytworzone płytki podłożowe GaN o średnicy 2 cale i większe. Będą cięte, szlifowane oraz polerowane mechanicznie i chemicznie, aby uzyskały powierzchnię atomowo gładką

Fot. Tomasz Sochacki / IWC PAN

Mężczyzna w kombinezonie i masce spogląda na ekran obok dużego monitora
Pracownia fotolitografii i litografii laserowej IWC PAN – tu ze struktur kwantowych Ga(InAl)N wykonywane są przyrządy półprzewodnikowe, diody, matryce laserowe oraz tranzystory

Fot: Archiwum IWC PAN